Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их оптические и отоэлектрические свойства. Проведен обзор электронной структуры и оптических свойств мат...
Published in: | Нано- и микросистемная техника № 3. С. 31-41 |
---|---|
Corporate Authors: | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический университет Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ |
Other Authors: | Войцеховский, Александр Васильевич, Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук, Несмелов, Сергей Николаевич, Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович, Сатдаров, Вадим Газизович, Кульчицкий, Николай Александрович |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000527379 |
Similar Items
-
Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
by: Лозовой, Кирилл Александрович - Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
-
Оптические и фотоэлектрические характеристики наногетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Турапин, Алексей Михайлович -
Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович - Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии