Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Физика и техника полупроводников Т. 48, вып. 7. С. 885-889
Соавтор: Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Другие авторы: Бойко, В. М., Веревкин, Сергей Сергеевич, Ермаков, В. С., Колин, Николай Георгиевич, Корулин, Алексей Викторович, Поляков, Александр Яковлевич, Брудный, Валентин Натанович
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
нитрид галлия
электронные свойства
нейтроны
эпитаксиальные пленки
Ферми уровень
статьи в журналах
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000495301
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000495301
Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы