Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe

В докладе представлены результаты численного моделирования униполярных nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe, а также сравнение результатов расчётов с результатами экспериментальных исследований их электрофизических и фотоэлектрических характеристик, полученных как нами ранее, так и авторами других рабо...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Девятая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" к 100-летию со дня рождения академика Б. К. Вайнштейна ; Четвертая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 22–26 ноября 2021 г. : сборник тезисов С. 48
Другие авторы:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Григорьев, Денис Валерьевич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич, Горн, Дмитрий Игоревич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	униполярные барьерные системы теллурид кадмия ртуть молекулярно-лучевая эпитаксия статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893895