Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe
В докладе представлены результаты численного моделирования униполярных nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe, а также сравнение результатов расчётов с результатами экспериментальных исследований их электрофизических и фотоэлектрических характеристик, полученных как нами ранее, так и авторами других рабо...
Similar Items
- Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection
- Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3-5 и 8-12 мкм
- Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
- Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
- Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe