| Summary: | Получены зависимости плотности потока энергии на подложку и удельной энергии, сообщаемой покрытию, от коэффициента заполнения импульсов разрядного тока в процессе дуального магнетронного осаждения покрытий TiAlN. Показано, что при уменьшении коэффициента заполнения импульсов разрядного тока с 40 до 6% поток энергии на подложку увеличивается на 20–30% при неизменной средней мощности разряда. В совокупности со снижением скорости осаждения покрытий в режиме высокой импульсной мощности происходит шестикратное увеличение удельной энергии, которую получает покрытие в процессе роста. Таким образом, регулировку коэффициента заполнения импульсов разрядного тока можно рассматривать в качестве способа управления энергетическим воздействием на напыляемое покрытие, от которого зависят его структура и свойства. Показано, что покрытия TiAlN, полученные при низких значениях коэффициента заполнения импульсов разрядного тока и высоком уровне энергетического воздействия на подложку, обладают высокой твердостью и износостойкостью.
|
|---|
