Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Bibliographic Details
Published in:Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 243
Other Authors: Дирко, Владимир Владиславович, Лозовой, Кирилл Александрович, Коханенко, Андрей Павлович, Войцеховский, Александр Васильевич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
наногетероструктуры
дифракция быстрых электронов
экспериментальные исследования
германий
кремний
молекулярно-лучевая эпитаксия
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000926091

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000926091

Similar Items