Gas sensitivity of IBSD deposited TiO2 thin films
TiO2 films of 130 nm and 463 nm in thickness were deposited by ion beam sputter deposition (IBSD), followed by annealing at temperatures of 800 °C and 1000 °C. The effect of H2, CO, CO2, NO2, NO, CH4 and O2 on the electrically conductive properties of annealed TiO2 thin films in the operating temper...
Published in: | Coatings Vol. 12, № 10. P. 1565 (1-17) |
---|---|
Other Authors: | Almaev, Aleksei V., Yakovlev, Nikita N., Kushnarev, Bogdan O., Kopyev, Viktor V., Novikov, Vadim A., Zinoviev, Mikhail M., Yudin, Nikolay N., Podzyvalov, Sergey N., Erzakova, Nadezhda N., Chikiryaka, Andrei V., Shcheglov, Mikhail P., Baalbaki, Houssain A., Olshukov, Alexey S. |
Format: | Article |
Language: | English |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997770 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- High oxygen sensitivity of TiO2 thin films deposited by ALD
- Просветляющие интерференционные оксидные покрытия среднего ИК-диапазона для полупроводниковых оптических подложек
- Разработка тонкопленочного покрытия Nb2O5/SiO2 для зеркал резонатора параметрического генератора света на основе монокристалла ZnGeP2
-
CeO2-TiO2 mixed oxide thin films with enhanced photocatalytic degradation of organic pollutants
by: Moongraksathum, Benjawan - Лучевая прочность тонкопленочного покрытия Nb2O5/SiO2 для зеркал резонатора параметрического генератора света на основе монокристалла ZnGeP2