Резистивное профилирование как метод исследования гетероструктур с множественными квантовыми ямами
Предложен метод вычисления профиля концентрации носителей заряда в гетероструктуре с квантовыми ямами, основанный на измерении полевой зависимости резистивных свойств гетероструктуры. Предполагается, что данный метод более информативен, чем метод емкостного профилирования, за счет как более широкого...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 2. С. 32-40 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000998338 |