Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса

Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разработки на их основе инфракрасных (ИК) детекторов с пониженными темновыми токами для MWIR и LWIR спектр...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Прикладная физика № 4. С. 40-45
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	МДП-структуры адмиттанс HgCdTe молекулярно-лучевая эпитаксия барьерная структура nBn-структуры статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000998738