Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получ...
| Формат: | Книга |
|---|---|
| Язык: | Russian |
| Публикация: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
1999
|
| Online-ссылка: | ЭБС Лань ЭБС Лань Перейти в каталог НТБ ТГАСУ |
