Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получ...
| Format: | Book |
|---|---|
| Language: | Russian |
| Published: |
Нижний Новгород
ННГУ им. Н. И. Лобачевского
1999
|
| Online Access: | ЭБС Лань ЭБС Лань Перейти в каталог НТБ ТГАСУ |
| LEADER | 02011nam a22001931 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 005 | 20230306233206.0 | ||
| 007 | cr bn uu|uu | ||
| 008 | 201102s1999 ru W 000 m rus d | ||
| 040 | |a RU-ToGUA |b rus |c RU-ToGUA |e PSBO | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений |h Электронный ресурс |b описание лабораторной работы |
| 260 | |a Нижний Новгород |b ННГУ им. Н. И. Лобачевского |c 1999 | ||
| 300 | |a 16 с. | ||
| 520 | 3 | |a Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении практических навыков работы с технологическим оборудованием и полупроводниковыми материалами. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ. | |
| 540 | |a Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Химия | ||
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/153072 |y ЭБС Лань | |
| 856 | 4 | 1 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/153072.jpg |y ЭБС Лань |
| 856 | |y Перейти в каталог НТБ ТГАСУ |u https://catalog.tsuab.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=795853 | ||
| 999 | |c 795853 |d 795853 | ||
| 039 | |z 2 |b 2 | ||