Контакты металл - полупроводник: Пер. с англ./

Контакты металл - полупроводник: Пер. с англ./

Библиографическая информация
Главный автор:	Родерик Эмвил Х. (Автор)
Другие авторы:	Шевченко, О. Ф. (Переводчик), Покалякин, В. И. (Переводчик), Степанов, Г. В. (Редактор)
Формат:	Книга
Публикация:	М.: Радио и связь 1982
Предметы:	контакты металл-полупроводник шоттки барьер токопрохождение
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Контакты металл-полупроводник: физика и модели
по: Божков, Владимир Григорьевич
Публикация: (2016)

Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Васильев, О. В.

Контакты металл-полупроводник: физика и модели: монография/
по: Божков, В. Г. Владимир Григорьевич
Публикация: (2016)

Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Шмаргунов, Антон Владимирович
Публикация: (2015)

Switchable Schottky contacts: simultaneously enhanced output current and reduced leakage current

Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts

Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике: /
по: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
Публикация: (1987)

К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Филонов, Николай Григорьевич

Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов по дисциплине "Металлизация в системах с наноразмерными элементами" [по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника"]
по: Шевяков, Василий Иванович 1952-
Публикация: (2011)

"Низкотемпературная аномалия" в контактах "металл - полупроводник" с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Исследование структуры металл-диэлектрик-полупроводник: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Электрофизические свойства квазиоднородных контактов Au-TiBx-GaAs

The radiation defects introduction in InP shottky diodes
по: Peshev, V. V.

Полупроводниковая электроника учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»]
по: Гермогенов, Валерий Петрович
Публикация: (2015)

Влияние тылового контакта на электрофизические и функциональные характеристики пленочных CdTe-детекторных структур с барьером Шоттки

Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник

Электрические свойства структур металл - Pb0.75Sn0.25Te<Pb>
по: Ахундова, Наиля Мубин гызы

Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом
по: Ющенко, Алексей Юрьевич

Новые материалы электронной техники сборник научных трудов
Публикация: (1990)

Упорядочение латеральной неоднородности в контакте TiBx-GaAs

Electrophysical characteristics of Sub-THz diode with Schottky barrier
по: Moskalenko, Victoriya D.

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Исследование высокотемпературных сплавных контактов полупроводников с металлами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Кулиш, Ушер Меерович
Публикация: (1966)

AFM study of charging of the Au-n-GaAs contact
по: Shmargunov, A. V.

Варизонные полупроводники и гетероструктуры [учебное пособие по направлению "Техническая физика"]
по: Ильин, Владимир Иванович
Публикация: (2000)

Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия
по: Литвинюк, О. В.

The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition

Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем

Способ подготовки поверхности полупроводника и электрофизические характеристики выпрямляющих контактов с арсенидом галлия N-типа покрытий никеля, иридия, иридий-никеля, иридий-золота
по: Батенков, Владислав Александрович

Влияние нормального распределения высоты барьера на характеристики контакта с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Интегральные СВЧ устройства на полевых транзисторах с барьером Шотки Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук 01.04.03
по: Бочков, Вячеслав Викторович
Публикация: (1996)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2009)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2011)

Физика полупроводниковых приборов в 2 кн.
по: Зи, С. М.
Публикация: (1984)

Метод интегрального преобразования Абеля в задачах теории потенциала и дифракции для незамкнутых экранов сфероидальной и тороидальной формы Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.03
по: Виноградова, Елена Дмитриевна
Публикация: (1996)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2014)

Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC

Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода