Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия: научное издание/

Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия: научное издание/

Библиографическая информация
Главные авторы:	Лапидус, И. И. Илья Иосифович (Автор), Орион, Б. В. Борис Валентинович (Автор), Кожитов, Л. В. Лев Васильевич (Автор), Аникин, В. К. Виктор Константинович (Автор), Скворцов, И. М. Игорь Михайлович (Автор)
Формат:	Книга
Публикация:	М.: Энергия 1978
Предметы:	технология кремний германий газовая эпитаксия
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
по: Ишков, Арман Дмитриевич

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний – германий с квантовыми точками германия
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния

Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии
по: Коханенко, Андрей Павлович

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
по: Коханенко, Андрей Павлович

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
по: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
по: Lozovoy, Kirill A.

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
по: Kokhanenko, Andrey P.

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
по: Диб, Хазем

Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
по: Lozovoy, Kirill A.

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Лозовой, Кирилл Александрович
Публикация: (2016)

Two-dimensional materials of group IVA: Latest advances in epitaxial methods of growth

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич

Моделирование электронных свойств напряженного кремния на германиевой подложке
по: Филиппов, Владимир Владимирович физик

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф М. Х.

Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза