Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия: научное издание/

Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия: научное издание/

Bibliographic Details
Main Authors:	Лапидус, И. И. Илья Иосифович (Author), Орион, Б. В. Борис Валентинович (Author), Кожитов, Л. В. Лев Васильевич (Author), Аникин, В. К. Виктор Константинович (Author), Скворцов, И. М. Игорь Михайлович (Author)
Format:	Book
Published:	М.: Энергия 1978
Subjects:	технология кремний германий газовая эпитаксия
Online Access:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

Температурная зависимость роста кремния и германия на графите при молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ворсин, Олег Игоревич

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния

Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии
by: Коханенко, Андрей Павлович

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
by: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Применение СВЧ-резонаторного метода для измерения удельного сопротивления эпитаксиальных пленок кремния и германия

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
by: Диб, Хазем

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
by: Lozovoy, Kirill A.

Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
by: Ворсин, Олег Игоревич

Two-dimensional materials of group IVA: Latest advances in epitaxial methods of growth

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Лозовой, Кирилл Александрович
Published: (2016)

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Моделирование электронных свойств напряженного кремния на германиевой подложке
by: Филиппов, Владимир Владимирович физик

Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович