Исследование реактивно распыленных диэлектрических пленок в МДП-структурах: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук/
| Главный автор: | Шандра, З. А. (Автор) |
|---|---|
| Соавтор: | Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР21 Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники |
| Другие авторы: | Воробьев, Г. А. Григорий Абрамович, Нахмансон, Р. С. |
| Формат: | Книга |
| Публикация: |
Томск
1972
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР |
Похожие документы
- Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells
-
Переходные процессы в полупроводниковых и диэлектрических диодах диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021
Публикация: (1969) -
Электрофизические свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2-Si3N4
по: Несмелов, Сергей Николаевич -
Автоматизированный комплекс для исследования электрических характеристик МДП-структур
по: Дзядух, Станислав Михайлович -
Исследование структуры металл-диэлектрик-полупроводник: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)
