Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ./

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ./

Библиографическая информация
Другие авторы:	Ченг, Л. (Редактор), Плог, К. (Редактор), Алферов, Ж. И. (Редактор), Шмарцев, Ю. В. (Редактор)
Формат:	Книга
Публикация:	М.: Мир 1989
Предметы:	молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктуры полупроводники полупроводниковые сверхрешетки
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры
Публикация: (1989)

Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства Методические указания
Публикация: (1998)

Делокализация фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs с тунельно-тонкими барьерами AlAs
по: Володин, Владимир Алексеевич

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Пищагин, Антон Александрович

Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства методические указания
Публикация: (2001)

Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев

Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках

Молекулярно-лучевая эпитаксия: Учебное пособие/
по: Орликов, Л. Н. Леонид Николаевич
Публикация: (2007)

Новые двумерные графеноподобные материалы и гетероструктуры

Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP

Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs

Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"
Публикация: (1999)

Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дирко, Владимир Владиславович

Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
по: Пищагин, Антон Александрович

Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs

Проблемы получения бездефектных полупроводниковых гетероструктур методами МЛЭ
по: Пчеляков, Олег Петрович

Фазовая диаграмма поверхности GaAs(311)A при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs
по: Путято, Михаил Альбертович

Особенности получения квантовых точек Ge на поверхности Si (100)
по: Турапин, Алексей Михайлович

Начальные стадии роста и механизм образования переходных слоев при гетероэпитаксии InP на GaAs
по: Субач, Сергей Владимирович

Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке

Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

МЛЭ гетероструктур на основе материалов A3B5 для мощных СВЧ-транзисторов
по: Журавлев, Константин Сергеевич

Определение плотности молекулярных потоков элементов III и IV группы по показаниям ионизационного вакуумметра в установках молекулярно-лучевой эпитаксии

Использование InP в качестве источника фосфора при выращивании фосфорсодержащих соединений Aᶦᶦᶦ Bᵛ методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Низкотемпературная молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия и твердых растворов на его основе: структура и свойства слоев
по: Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2 (P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Горн, Д. И. Дмитрий Игоревич
Публикация: (2012)

Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Электронные процессы в гетероструктурах AlAs/AlxGa1-xAs (110)
по: Егунов, Руслан Михайлович

Исследование процессов роста слоев InGaAs при низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии
по: Круогла, Е. К.

Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001)

Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Физика и технология гетероструктур A3B5: современное состояние и тенденции развития
по: Пчеляков, Олег Петрович

Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
по: Lozovoy, Kirill A.

Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах