Молекулярно-лучевая эпитаксия: Учебное пособие/

Молекулярно-лучевая эпитаксия: Учебное пособие/

Библиографическая информация
Главный автор:	Орликов, Л. Н. Леонид Николаевич (Автор)
Соавтор:	Федеральное агентство по образованию21 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники21 Кафедра электронных приборов
Формат:	Книга
Публикация:	Томск: ТУСУР 2007
Предметы:	учебные пособия молекулярно-лучевая эпитаксия эпитаксильные пленки вакуумная гигиена КАТУНЬ контроль качества
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ./
Публикация: (1989)

Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры
Публикация: (1989)

Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке

Низкотемпературная молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия и твердых растворов на его основе: структура и свойства слоев
по: Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008

Особенности получения эпитаксиальных пленок КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Латтеган, А. Г.

Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев

Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Влияние условий зарождения пленок GaN на их полярность при молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Хамзин, Т. Х.

Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Ходкевич, Д. В.

Широкозонные полупроводники: Учебное пособие для вузов/
по: Шретер Юрий Геогриевич, et al.
Публикация: (2001)

Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Влияние высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КРТ
по: Ермаченков, Павел Андреевич

Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films

Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
по: Nikiforov, Alexander I.

Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs interface for spin-polarimetry applications

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Чарыков, И. В.

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Дирко, Владимир Владиславович
Публикация: (2022)

Автоматизация управления испарителями в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Орликов, Николай Леонидович

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Ходкевич, Д. В.

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)

Atomic relaxations at the (0001) surface of Bi2Se3 single crystals and ultrathin films

Темновые токи nB(SL)n - структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений

Investigation of surface potential in the V-defect region of MBE CdxHg1−xTe film
по: Novikov, Vadim A.

Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates

Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Пищагин, Антон Александрович

Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films

Анализ гомоэпитаксиального роста тонких пленок кремния на сверхструктурах 1х2 и 2х1 методом дифракции быстрых электронов

Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy

Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Выращивание твердых растворов GaPxAs1-x методом молекулярно-лучевой эпитаксии: механизм формирования состава в подрешетке V группы