Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01/

Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01/

Библиографическая информация
Главный автор:	Климов, Е. А. Евгений Александрович (Автор)
Соавтор:	Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН(М.)
Другие авторы:	Галиев, Г. Б. Галиб Бариевич
Формат:	Книга
Публикация:	Ðœ. 2012
Предметы:	ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ АВТОРЕФЕРАТЫ
Online-ссылка:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01005012610?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Si/Ge-based photosensitive nanoheterostructures for optical communication systems

Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
по: Коханенко, Андрей Павлович

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

Спектральные характеристики системы материалов Si с квантовыми точками Ge
по: Торопов, Никита Александрович

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Влияние высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КРТ
по: Ермаченков, Павел Андреевич

Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe

Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Лозовой, Кирилл Александрович
Публикация: (2016)

Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Особенности получения эпитаксиальных пленок КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Латтеган, А. Г.

Энергетика образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface

Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора

Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами

Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур

Исследования вицинальных поверхностей эпитаксиальных слоев GaAs(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
по: Анисимова, Любовь Леонидовна

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Ходкевич, Д. В.

Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3-5 и 8-12 мкм

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe

Фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев InGaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
по: Полтавец, И. Ю.

Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением