Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.07/

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.07/

Библиографическая информация
Главный автор:	Рубанов, П. В. Павел Владимирович (Автор)
Соавтор:	Юргинский технологический институт(Юрга)
Другие авторы:	Градобоев, А. В. Александр Васильевич
Формат:	Книга
Публикация:	Томск 2012
Предметы:	ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ СВЕТОДИОДЫ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ АВТОРЕФЕРАТЫ
Online-ссылка:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01005014058?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 01.04.07
по: Рубанов, Павел Владимирович
Публикация: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Рубанов, П. В. специалист в области неразрушающего контроля инженер Томского политехнического университета 1981-
Публикация: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Рубанов, П. В. специалист в области неразрушающего контроля инженер Томского политехнического университета 1981-
Публикация: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Рубанов, П. В. специалист в области неразрушающего контроля инженер Томского политехнического университета 1981-
Публикация: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур ALGaInPC: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.07/
по: Орлова, К. Н. Ксения Николаевна
Публикация: (2013)

Комбинированное облучение гетероструктур AlGaAs
по: Градобоев, Александр Васильевич

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Орлова, К. Н. физик аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Публикация: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Орлова, К. Н. физик аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Публикация: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
по: Орлова, К. Н. специалист в области радиационной стойкости полупроводниковых приборов аспирант, ассистент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета 1985-
Публикация: (2013)

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Исследование низкотемпературных электрических характеристик светодиодов из AlGaInP
по: Олейник, Владимир Леонидович

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Electron irradiation degradation of AlGaInP/GaAs light‐emitting diodes

Исследование возможности создания мощного излучающего диода ИК-диапазона на основе одинарной гетероструктуры GaAs-AlGaAs

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Кристаллы СИД на основе гетероструктур GaAlAs

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Исследование светодиодов из AlGaInP методикой спектроскопии адмиттанса
по: Олейник, Владимир Леонидович

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Моделирование детектора ионизирующих излучений на основе гетероструктуры AlGaAs-GaAs

Низкотемпературные электрические характеристики светодиодов на основе AlGaInP
по: Олейник, Владимир Леонидович

Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P

Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Монолитная матрица излучателей на основе гетероструктур GaAlAs

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Радиационная стойкость защитного конструкционного композита на основе цементного вяжущего и железооксидного наполнителя автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 01.04.07
по: Воронов, Денис Владимирович
Публикация: (2009)

Структура, оптические свойства и радиационная стойкость синтезированных и модифицированных порошков титаната бария автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 01.04.07
по: Утебеков, Тимур Аскарович
Публикация: (2013)

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
по: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Спектральные характеристики гетероструктур для светодиодов на основе твердых растворов
по: Ломов, Евгений Юрьевич

InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
по: Брудный, Павел Александрович

Измерение ароматических углеводородов с помощью светодиодов УФ-диапазона
по: Смирнов, Сергей Сергеевич физик

Оптические, электрические, механические свойства и радиационная стойкость полипропилена, модифицированного наночастицами оксидных соединений автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 1.3.8
по: Горончко, Владимир Александрович
Публикация: (2023)

Особенности производства кристаллов для СИД на основе гетероструктур GaAlAs