Электронный ключ. Электронные цепи и микросхемотехника: руководство к лабораторной работе/

Электронный ключ. Электронные цепи и микросхемотехника: руководство к лабораторной работе/

Bibliographic Details
Main Authors:	Топор, А. В. Александр Васильевич (Author), Бахмет, А. В. (Author)
Corporate Author:	Федеральное агентство по образованию21 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)21 Кафедра промышленной электроники
Format:	Book
Language:	Russian
Published:	Томск: ТУСУР 2009
Subjects:	ТРАНЗИСТОРЫ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ
Online Access:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

Двумерная модель GaAs полевого транзистора Шоттки с учетом особенности электрического поля
by: Вячистый, Дмитрий Федорович

Электроника. Лабораторный практикум учебно-методическое пособие
Published: (2025)

Оптоэлектронный ключ с субнаносекундным быстродействием
by: Скакунов, Максим Сергеевич

Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов

Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4
by: Олейник, Владимир Леонидович

К вопросу о вольт - амперной характеристике систем с отрицательным сопротивлением/
by: Пырченков, В.Н, et al.
Published: (1967)

Исследование ВАХ ЩГК в сверхсильных электрических полях
by: Еханин, С. Г.

Влияние электрического поля на процессы Г-Х рассеяния электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs(001)
by: Воронков, А. А.

Некоторые особенности вольт-амперной характеристики "коротких" диодов Ганна
by: Юрченко, Василий Иванович

Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме
by: Быков, Александр Геннадьевич

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Влияние дефектов и примесей на спектры электролюминесценции и вольтамперные характеристики алмаза
by: Бородулин, Захар Игоревич

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
by: Нетудыхатко, А. В.

Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия
by: Зенкова, Анастасия Дмитриевна

Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении
by: Прудаев, Илья Анатольевич

Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan

Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
by: Олейник, Владимир Леонидович

Электролюминесценция галогеновых комплексов с одновалентной медью: ОСИД-устройства и DFT-моделирование

Электронные цепи и микросхемотехника: Учебное пособие/
by: Шарапов, Александр Викторович
Published: (2002)

Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия

Исследование влияния материала электродов сенсибилизированных солнечных элементов на емкостные и электрические характеристики

Электронные цепи и микросхемотехника: Учебное методическое пособие/
by: Шарапов, Александр Викторович
Published: (2000)

Электронные цепи и микросхемотехника: Учебное методическое пособие/
by: Шарапов, Александр Викторович
Published: (2001)

Транзистры для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры справочное пособие
by: Нефедов, Анатолий Владимирович
Published: (2006)

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик GaAs:Cr-структур c различными контактами
by: Цуканов, Владимир Андреевич

Влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики ???-y-n структур из GaAs: Fe
by: Вилисов, Анатолий Александрович

Туннельная рекомбинация и вольт-амперные характеристики структур на основе твердого раствора InGaN
by: Потанахина, Л. Н.

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе арсенида галлия
by: Захаров, Д. Н.

Анализ работы многорельсового электромагнитного ускорителя твердых тел с прямым питанием от импульсной магнитогидродинамической установки

Электронные цепи и микросхемотехника: учебное пособие/
by: Шарапов, Александр Викторович
Published: (2003)

Твердотельная электроника: методические указания по выполнению лабораторных работ/
by: Жигальский, А. А. Александр Анатольевич
Published: (2011)

Исследование низкотемпературных электрических характеристик светодиодов из AlGaInP
by: Олейник, Владимир Леонидович

Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
by: Prudaev, Ilya A.