Электронный ключ. Электронные цепи и микросхемотехника: руководство к лабораторной работе/

Электронный ключ. Электронные цепи и микросхемотехника: руководство к лабораторной работе/

Библиографическая информация
Главные авторы:	Топор, А. В. Александр Васильевич (Автор), Бахмет, А. В. (Автор)
Соавтор:	Федеральное агентство по образованию21 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)21 Кафедра промышленной электроники
Формат:	Книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск: ТУСУР 2009
Предметы:	ТРАНЗИСТОРЫ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Двумерная модель GaAs полевого транзистора Шоттки с учетом особенности электрического поля
по: Вячистый, Дмитрий Федорович

Электроника. Лабораторный практикум учебно-методическое пособие
Публикация: (2025)

Оптоэлектронный ключ с субнаносекундным быстродействием
по: Скакунов, Максим Сергеевич

Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов

Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4
по: Олейник, Владимир Леонидович

К вопросу о вольт - амперной характеристике систем с отрицательным сопротивлением/
по: Пырченков, В.Н, et al.
Публикация: (1967)

Исследование ВАХ ЩГК в сверхсильных электрических полях
по: Еханин, С. Г.

Некоторые особенности вольт-амперной характеристики "коротких" диодов Ганна
по: Юрченко, Василий Иванович

Влияние электрического поля на процессы Г-Х рассеяния электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs(001)
по: Воронков, А. А.

Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме
по: Быков, Александр Геннадьевич

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Влияние дефектов и примесей на спектры электролюминесценции и вольтамперные характеристики алмаза
по: Бородулин, Захар Игоревич

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
по: Нетудыхатко, А. В.

Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan

Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия
по: Зенкова, Анастасия Дмитриевна

Электролюминесценция галогеновых комплексов с одновалентной медью: ОСИД-устройства и DFT-моделирование

Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении
по: Прудаев, Илья Анатольевич

Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
по: Олейник, Владимир Леонидович

Электронные цепи и микросхемотехника: Учебное пособие/
по: Шарапов, Александр Викторович
Публикация: (2002)

Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия

Исследование влияния материала электродов сенсибилизированных солнечных элементов на емкостные и электрические характеристики

Транзистры для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры справочное пособие
по: Нефедов, Анатолий Владимирович
Публикация: (2006)

Электронные цепи и микросхемотехника: Учебное методическое пособие/
по: Шарапов, Александр Викторович
Публикация: (2000)

Электронные цепи и микросхемотехника: Учебное методическое пособие/
по: Шарапов, Александр Викторович
Публикация: (2001)

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе арсенида галлия
по: Захаров, Д. Н.

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик GaAs:Cr-структур c различными контактами
по: Цуканов, Владимир Андреевич

Анализ работы многорельсового электромагнитного ускорителя твердых тел с прямым питанием от импульсной магнитогидродинамической установки

Туннельная рекомбинация и вольт-амперные характеристики структур на основе твердого раствора InGaN
по: Потанахина, Л. Н.

Влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики ???-y-n структур из GaAs: Fe
по: Вилисов, Анатолий Александрович

Твердотельная электроника: методические указания по выполнению лабораторных работ/
по: Жигальский, А. А. Александр Анатольевич
Публикация: (2011)

Электронные цепи и микросхемотехника: учебное пособие/
по: Шарапов, Александр Викторович
Публикация: (2003)

Исследование низкотемпературных электрических характеристик светодиодов из AlGaInP
по: Олейник, Владимир Леонидович

Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
по: Щербаков, Иван Дмитриевич