Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных HEMT наногетероструктур In{\dn 0,7}Al{\dn 0,3}As/In{\dn 0,7}Ga{\dn 0,3}As/In{\dn 0,7}Al{\dn 0,3}As на подложках GaAs и InP: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/

Bibliographic Details
Main Author: Пушкарев, С. С. Сергей Сергеевич (Author)
Corporate Author: ФГБУ "Национальный исследовательский центр КУрчатовский институт"
Other Authors: Галиев, Г. Б. Галиб Бариевич
Format: Book
Published: М. 2013
Online Access:https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01005060523?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР