Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных HEMT наногетероструктур In{\dn 0,7}Al{\dn 0,3}As/In{\dn 0,7}Ga{\dn 0,3}As/In{\dn 0,7}Al{\dn 0,3}As на подложках GaAs и InP: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/

Похожие документы

• Электронные свойства квантовых ям Al {\dn x}Ga{\dn 1-x}As/In{\dn y}Ga{\dn 1-y}As/Al{\dn x}Ga{\dn 1-x}As с комбинированным и дельта-легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/
  по: Хабибуллин, Р. А. Рустам Анварович
  Публикация: (2012)
• Электронные свойства структур с квантовой ямой In {\dn x} Ga {\dn 1-x} (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/
  по: Юзеева, Н. А. Наталия Александровна
  Публикация: (2013)
• Структура и свойства поликристаллического a-Al{\dn 2}O{\dn 3}, модифицированного мощным лазерным излучением: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.07/
  по: Саврук, Е. В. Елена Владимировна
  Публикация: (2013)
• Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te
• Accumulation of arsenic implantation‑induced donor defects in Hg0.7Cd0.3Te heteroepitaxial structures