Электронные свойства квантовых ям Al {\dn x}Ga{\dn 1-x}As/In{\dn y}Ga{\dn 1-y}As/Al{\dn x}Ga{\dn 1-x}As с комбинированным и дельта-легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/

Электронные свойства квантовых ям Al {\dn x}Ga{\dn 1-x}As/In{\dn y}Ga{\dn 1-y}As/Al{\dn x}Ga{\dn 1-x}As с комбинированным и дельта-легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/

Bibliographic Details
Main Author: Хабибуллин, Р. А. Рустам Анварович (Author)
Corporate Author: ФГУП НИИ Физических проблем им. Ф. В, Лукина
Other Authors: Васильевский, И. С. Иван Сергеевич
Format: Book
Published: М. 2012
Online Access:https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01005052878?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
Description
Physical Description:22 с: a-рис.
Bibliography:Библиогр.: с. 21

Similar Items