Электронные свойства квантовых ям Al {\dn x}Ga{\dn 1-x}As/In{\dn y}Ga{\dn 1-y}As/Al{\dn x}Ga{\dn 1-x}As с комбинированным и дельта-легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/

Похожие документы

• Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных HEMT наногетероструктур In{\dn 0,7}Al{\dn 0,3}As/In{\dn 0,7}Ga{\dn 0,3}As/In{\dn 0,7}Al{\dn 0,3}As на подложках GaAs и InP: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/
  по: Пушкарев, С. С. Сергей Сергеевич
  Публикация: (2013)
• Электронные свойства структур с квантовой ямой In {\dn x} Ga {\dn 1-x} (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/
  по: Юзеева, Н. А. Наталия Александровна
  Публикация: (2013)
• Об интегрировании уравнения dny/dzn + a/z x dn-1y/dzn-1 + By = О
  по: Алексеевский, Владимир Петрович математик 1858-1916
  Публикация: (1884)
• Структура и свойства поликристаллического a-Al{\dn 2}O{\dn 3}, модифицированного мощным лазерным излучением: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.07/
  по: Саврук, Е. В. Елена Владимировна
  Публикация: (2013)
• Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF{\dn 2}/CaF{\dn 2}/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.07/
  по: Филимонова, Н. И. Нина Ивановна
  Публикация: (2011)