Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/

Похожие документы

• Влияние кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InAlAs
• Влияние морфологии гетерограниц на транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами
• Миллисекундная кинетика экситонной люминесценции квантовых точек InAs, сформированных в матрице AlAs
• Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
• Динамика электрона в квантовых ямах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.07
  по: Багманов, Андрей Тамерланович
  Публикация: (2005)