СВЧ транзистор миллиметрового диапазона на основе (InA1Ga)N/A1N/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/

СВЧ транзистор миллиметрового диапазона на основе (InA1Ga)N/A1N/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/

Библиографическая информация
Главный автор:	Великовский, Л. Э. Леонид Эдуардович (Автор)
Корпоративные авторы:	Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск), АО "Научно-производственная фирма "Микран"
Формат:	Материалы конференции Книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск: б. и. 2019
Предметы:	КОНСТРУКЦИИ ТЕХНОЛОГИИ ЭФФЕКТЫ ПАРАМЕТРЫ ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ ВЫБОР РЕЖИМОВ
Online-ссылка:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01010174441?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

СВЧ Транзистор миллиметрового диапазона на основе (InA1Ga)N/A1N/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/
по: Великовский, Л. Э. Леонид Эдуардович
Публикация: (2019)

InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
по: Брудный, Павел Александрович

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP
по: Брус, Виктор Васильевич

Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Фоновые спектры сверхрешеток (Ga1-xAlxAs)m (GaAs)n
по: Прыкина, Елена Николаевна

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
по: Брудный, Валентин Натанович

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
по: Иванова, Елизавета Сергеевна

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
по: Коржавина, Н. С.

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
по: Romanov, I. S.

On ruin probabilities with investments in a risky asset with a regime-switching price
по: Kabanov, Yuri

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1

Туннелирование электронов в структурах (GaAs)n/(AlAs)m(001) с тонкими слоями
по: Караваев, Геннадий Федорович

Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
по: Копьев, Виктор Васильевич

Свойства структур n-GaAs-Ga2O3
по: Вишникина, Вера Валерьевна

Радиационно-стимулированное и микроволновое геттерирование в НЕМТ на основе AlGaN/GaN и AlGaAs/GaAs гетероструктур

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1–xN (Y ≡ B, Al, In)
по: Литинский, Аркадий Овсеевич

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Модель гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w- GaN/AlGaN(0001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
по: Курчин, Константин Николаевич

Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06
по: Ермошин, Иван Геннадьевич
Публикация: (2009)

Тензоэлектросопротивление эпитаксиальных пленок ALxGa1-xAs n-типа проводимости
по: Гриняев, Сергей Николаевич

Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
по: Романов, Иван Сергеевич

Особенности комбинационного рассеяния света в легированных соединениях n-GaAs и n-In Ga As Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.05
по: Китов, Иван Алексеевич
Публикация: (1994)

Симфония N 1
по: Малер, Густав 1860-1911
Публикация: (1960)