Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Мощные быстродействующие диод...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/

Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/

Bibliographic Details
Main Author: Федин, И. В. Иван Владимирович (Author)
Corporate Author: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)21 АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск)
Format: Book
Published: Томск: б. и. 2019
Subjects:
БАРЬЕРНЫЙ КОНТАКТ
СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА
ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ
РАДИАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
ТЕМПЕРАТУРА ОТЖИГА
ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ
Online Access:Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

  • Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/
    by: Федин, И. В. Иван Владимирович
    Published: (2019)
  • Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N
  • Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
  • Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении
  • Быстродействующие мощные ИК-диоды
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...