|
|
|
|
| LEADER |
01946nam a2200253 i 4500 |
| 001 |
LibTUSUR0000076045 |
| 008 |
201102s2019 ru_a l000 0yrus d |
| 020 |
|
|
|c р1.00
|
| 040 |
|
|
|a torina
|b rus
|
| 100 |
1 |
|
|a Федин, И. В.
|q Иван Владимирович
|4 aut
|
| 245 |
0 |
0 |
|a Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия:
|b диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/
|c И. В. Федин; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
|
| 260 |
|
|
|a Томск:
|b б. и.
|c 2019
|
| 300 |
|
|
|a 147 с.:
|b a-цв. ил.
|
| 535 |
2 |
|
|a Библиотека ТУСУР
|d https://lib.tusur.ru
|
| 653 |
0 |
|
|a БАРЬЕРНЫЙ КОНТАКТ
|
| 653 |
0 |
|
|a СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА
|
| 653 |
0 |
|
|a ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ
|
| 653 |
0 |
|
|a РАДИАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
|
| 653 |
0 |
|
|a ТЕМПЕРАТУРА ОТЖИГА
|
| 653 |
0 |
|
|a ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ
|
| 852 |
|
|
|a Библиотека ТУСУР
|h 621.382
|i Ф 326
|p 460273
|b сбо
|
| 080 |
|
|
|a 621.382.2(571.16)
|
| 710 |
2 |
1 |
|a Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)21
|a АО "Научно-производственная фирма "Микран"(Томск)
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
|u https://lib.tusur.ru/irbis-new/i64r_15/cgiirbis_64.exe?Z21ID=&P21DBN=LIB&I21DBN=LIB&S21FMT=fullwebr&C21COM=S&2_S21P02=0&2_S21P03=I=&2_S21STR=621.382/Ф 326-414456
|
