Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/

Похожие документы

• Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/
  по: Федин, И. В. Иван Владимирович
  Публикация: (2019)
• Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N
• Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
• Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении
• Быстродействующие мощные ИК-диоды