Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук: 01.04.07 /
| Main Author: | Сысоева, С. Г. Светлана Геннадьевна (Author) |
|---|---|
| Corporate Author: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет(Томск)21 Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН(Новосибирск) |
| Format: | Book |
| Language: | Russian |
| Published: |
Томск
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008705897?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР |
Similar Items
-
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
by: Сысоева, Светлана Геннадьевна
Published: (2018) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева, С. Г.
Published: (2017) -
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева, С. Г.
Published: (2018) -
Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве
by: Давыдов, Валерий Николаевич - Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
