Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук: 01.04.07 /

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук: 01.04.07 /

Библиографическая информация
Главный автор:	Сысоева, С. Г. Светлана Геннадьевна (Автор)
Соавтор:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет(Томск)21 Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН(Новосибирск)
Формат:	Книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск 2018
Предметы:	СПЕКТРОМЕТРИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАКРОКРИСТАЛЛЫ ЭЛЕКТРОННЫЙ ПУЧОК ГЕНЕРАТОРЫ ПЛОТНОСТЬ ПОТОКА
Online-ссылка:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008705897?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
по: Сысоева, Светлана Геннадьевна
Публикация: (2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
по: Сысоева, С. Г.
Публикация: (2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
по: Сысоева, С. Г.
Публикация: (2018)

Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
по: Брудный, Валентин Натанович

Электронно-микроскопические исследования алюмооксидной керамики, обработанной сильноточным импульсным пучком низкоэнергетических электронов
по: Гынгазов, Сергей Анатольевич

Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
по: Иванова, Елизавета Сергеевна

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
по: Romanov, I. S.

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
по: Копьев, Виктор Васильевич

Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
по: Романов, Иван Сергеевич

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
по: Kopyev, Viktor V.

Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Радиационно-стимулированное и микроволновое геттерирование в НЕМТ на основе AlGaN/GaN и AlGaAs/GaAs гетероструктур

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
по: Prudaev, Ilya A.

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Падение эффективности в светодиодных структуах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: диссертация ... кандидата технических наук: 05.11.07/
по: Афонин, К. Н. Кирилл Нильевич
Публикация: (2021)

Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.11.07/
по: Афонин, К. Н. Кирилл Нильевич
Публикация: (2021)