Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • СВЧ комплементарный биполярны...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.27.01/

СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.27.01/

Bibliographic Details
Main Author: Дроздов, Д. Г. Дмитрий Геннадьевич (Author)
Corporate Author: АО "Научно-производственное предприятие "Пульсар"(Москва)21 Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук(Москва)
Format: Book
Published: Москва 2017
Subjects:
ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ДИОДЫ
ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ
ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ
Online Access:https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008710334?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008710334?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

  • Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing
  • Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing
  • Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe
  • Влияние температуры обработки на средний размер зерна УМЗ-титана
  • Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...