Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Поиск
  • СВЧ комплементарный биполярны...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.27.01/

СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.27.01/

Библиографическая информация
Главный автор: Дроздов, Д. Г. Дмитрий Геннадьевич (Автор)
Соавтор: АО "Научно-производственное предприятие "Пульсар"(Москва)21 Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук(Москва)
Формат: Книга
Публикация: Москва 2017
Предметы:
ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ДИОДЫ
ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ
ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ
Online-ссылка:https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008710334?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись

Internet

https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008710334?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

  • Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing
  • Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing
  • Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe
  • Влияние температуры обработки на средний размер зерна УМЗ-титана
  • Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...