СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.27.01/

СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.27.01/

Библиографическая информация
Главный автор:	Дроздов, Д. Г. Дмитрий Геннадьевич (Автор)
Соавтор:	АО "Научно-производственное предприятие "Пульсар"(Москва)21 Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук(Москва)
Формат:	Книга
Публикация:	Москва 2017
Предметы:	ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ДИОДЫ ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ
Online-ссылка:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008710334?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe

Влияние температуры обработки на средний размер зерна УМЗ-титана

Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films

Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films

Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ

Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs Диссертационная работа на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
по: Ардышев, Михаил Вячеславович
Публикация: (2000)

Оборудование ионной имплантации: производственно-практическое издание/
по: Симонов, В. В. Владимир Валентинович, et al.
Публикация: (1988)

Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures

Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs

Effect of thermal annealing on electrical characteristics of Ga2Oy-GaAs structures

Применение ионной имплантации в геммологии

Роль размера зерен поликристаллического титана в формировании концентрационных профилей имплантируемых ионов алюминия

Deep centers in TiO2-Si structures

Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме

Механизмы формирования структуры и электрические свойства фторполимерных пленок, осажденных из активной газовой фазы
по: Лучников, Петр Александрович

Анодные пленки Ga2O3. Влияние термического отжига на свойства пленок

Термическая стабильность порошковой смеси 3Ni-Al после высокоэнергетической механической активации

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./
по: Вуд, К. Е. К., et al.
Публикация: (1988)

Ion implantation in β-Ga2O3: Physics and technology

Ионная имплантация алмаза

Влияние воздействия ионов алюминия на размер зерна ультрамелкозернистого титана
по: Никоненко, Алиса Владимировна

Влияние ионной имплантации на структурно-фазовое состояние и коррозионные свойства титана с различным размером зерна

Фазовые и структурные превращения в пленках системы Pt-Ni-Si при различных видах термообработки
по: Кушев, С. Б.

Влияние термического отжига на свойства структур GaxOy/n-GaAs
по: Ремизова, Ирина Леонидовна

Исследования свойств Al-P-O цеолитов
по: Бузимов, Александр Юрьевич

Фотоэлектрические характеристики структур металл - Ga2O3 - GaAs

Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te

Structural phase states in nickel-titanium surface layers doped with silicon by plasma immersion ion implantation

Формирование наноразмерных интерметаллидных фаз в условиях имплантации ионами алюминия титановых мишеней

Модификация структуры и свойств твердых тел пучками тяжелых ионов высоких энергий: монография/
по: Гольцев, М. В. Михаил Всеволодович, et al.
Публикация: (2006)

Photoelectrical characteristics of TiO2-N-Si heterostructures

Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs
по: Ремизова, Ирина Леонидовна

Влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на свойства структур TiO2-Si

Влияние дозы имплантации на фазовый состав УМЗ-титана

Modification of polyvinyl alcohol surface properties by ion implantation

Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation

Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation

Медицинский полиуретан с улучшенной биосовместимостью после обработки методом ионной имплантации