Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Search
  • Тепловой режим источника свет...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: диссертация ... кандидата технических наук: 05.11.07/

Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: диссертация ... кандидата технических наук: 05.11.07/

Bibliographic Details
Main Author: Афонин, К. Н. Кирилл Нильевич (Author)
Corporate Author: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)
Format: Book
Language:Russian
Published: Томск 2021
Subjects:
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА
ПОТРЕБЛЯЕМАЯ МОЩНОСТЬ
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СВЕТА
МОДУЛИ
Online Access:Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

  • Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.11.07/
    by: Афонин, К. Н. Кирилл Нильевич
    Published: (2021)
  • Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
    by: Брудный, Валентин Натанович
  • Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
    by: Иванова, Елизавета Сергеевна
  • Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
  • Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
    by: Копьев, Виктор Васильевич
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...