Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/

Похожие документы

• Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
  по: Сим, П. Е. Павел Евгеньевич
  Публикация: (2018)
• Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов Х-диапазона для систем радиолокации: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/
  по: Курмачев, В. А. Виктор Алексеевич
  Публикация: (2013)
• Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов
• Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических структур. 01.04.10
  по: Борисенко, Сергей Иванович
  Публикация: (2004)
• Диагностика качества электрических контактов и проводников методом нелинейной видеоимпульсной рефлектометрии. : диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 05.12.04 - Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения/
  по: Артищев, С. А. Сергей Александрович
  Публикация: (2015)