Сим, П. Е. П. Е., & Троян, П. Е. П. Е. (2018). Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника.
Chicago-стиль цитированияСим, П. Е. Павел Евгеньевич, and П. Е. Павел Ефимович Троян. Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника. Томск, 2018.
MLA-цитированиеСим, П. Е. Павел Евгеньевич, and П. Е. Павел Ефимович Троян. Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника. 2018.
Предупреждение: эти цитирования не могут быть точны на 100%.
