Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/

Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/

Bibliographic Details
Main Author: Сим, П. Е. Павел Евгеньевич (Author)
Other Authors: Троян, П. Е. Павел Ефимович
Format: Book
Published: Томск 2018
Subjects:
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ
АВТОРЕФЕРАТЫ
ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
ПОЛУПРОВОДНИКИ
ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ
КОНТАКТНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ
ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Online Access:https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008700195?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
Description
Physical Description:17 с.: a-граф.
Bibliography:Библиогр.: с. 15-17

Similar Items