Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/

Библиографическая информация
Главный автор: Сим, П. Е. Павел Евгеньевич (Автор)
Другие авторы: Троян, П. Е. Павел Ефимович
Формат: Книга
Публикация: Томск 2018
Предметы:
Online-ссылка:https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008700195?page=1&rotate=0&theme=white
Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
LEADER 01757nam a2200301 i 4500
001 LibTUSUR0000079251
008 220302s2018 ru_aa l000 0yrus d
040 |a torina  |b rus 
100 1 |a Сим, П. Е.  |q Павел Евгеньевич  |4 aut 
245 0 0 |a Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN:   |b автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/  |c П. Е. Сим ; науч. рук. П. Е. Троян 
260 |a Томск  |c 2018 
300 |a 17 с.:  |b a-граф. 
504 |a Библиогр.: с. 15-17 
535 2 |a Библиотека ТУСУР  |d https://lib.tusur.ru 
653 0 |a НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ 
653 0 |a АВТОРЕФЕРАТЫ 
653 0 |a ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 
653 0 |a ПОЛУПРОВОДНИКИ 
653 0 |a ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ 
653 0 |a КОНТАКТНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ 
653 0 |a ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ 
653 0 |a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ 
852 |a Библиотека ТУСУР  |h А  |i С 370  |p 462664  |b счз1 
852 |a Библиотека ТУСУР  |h А  |i С 370  |p 462686  |b сбо 
080 |a 621.382.323(043.3) 
700 1 |a Троян, П. Е.  |q Павел Ефимович 
856 4 |u https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008700195?page=1&rotate=0&theme=white 
856 |y Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР  |u https://lib.tusur.ru/irbis-new/i64r_15/cgiirbis_64.exe?Z21ID=&P21DBN=LIB&I21DBN=LIB&S21FMT=fullwebr&C21COM=S&2_S21P02=0&2_S21P03=I=&2_S21STR=А/С 370-887020