Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/

Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/

Bibliographic Details
Main Author:	Сим, П. Е. Павел Евгеньевич (Author)
Other Authors:	Троян, П. Е. Павел Ефимович
Format:	Book
Published:	Томск 2018
Subjects:	НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ АВТОРЕФЕРАТЫ ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ПОЛУПРОВОДНИКИ ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ КОНТАКТНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Online Access:	https://viewer.rsl.ru/ru/rsl01008700195?page=1&rotate=0&theme=white Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN: диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника/
by: Сим, П. Е. Павел Евгеньевич
Published: (2018)

Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов Х-диапазона для систем радиолокации: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах/
by: Курмачев, В. А. Виктор Алексеевич
Published: (2013)

Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических структур. 01.04.10
by: Борисенко, Сергей Иванович
Published: (2004)

Диагностика качества электрических контактов и проводников методом нелинейной видеоимпульсной рефлектометрии. : диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 05.12.04 - Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения/
by: Артищев, С. А. Сергей Александрович
Published: (2015)

Диагностика качества электрических контактов и проводников методов нелинейной видеоимпульсной рефлектометрии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 05.12.04 - Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения/
by: Артищев, С. А. Сергей Александрович
Published: (2015)

Туннельный транспорт в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AI0 3Gaol7N(0001). самосогласованный расчет
by: Разжувалов, Александр Николаевич

Туннелирование электронов в гетероструктурах AlAs/AlxGa1-xAl(110). Псевдопотенциальные расчеты и модель
by: Караваев, Геннадий Федорович

InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
by: Брудный, Павел Александрович

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
by: Коржавина, Н. С.

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Научно-технологические проблемы создания полупроводниковых приборов нового поколения на гетероструктурах типа AlGaN/GaN

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Влияние обработки в низкоэнергетической плазме CF4 и последующего отжига на образование дефектов в псевдоморфных GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs гетерострукткрах для мощных сверхвысокочастотных транзисторов

Глубокие уровни комплексов вакансий в GaAs
by: Брудный, Валентин Натанович

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Гетероструктура ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Атакова, М. М.
Published: (1974)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев, Геннадий Федорович

Модель гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w- GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов, Александр Николаевич

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев, Геннадий Федорович

От сплавных контактов к эпитаксиальным гетероструктурам
by: Гермогенов, Валерий Петрович

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов
by: Брудный, Валентин Натанович

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов, Александр Николаевич

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева, С. Г.
Published: (2017)

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева, С. Г.
Published: (2018)

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
by: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Published: (2023)

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
by: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Published: (2023)

Варизонные полупроводники и гетероструктуры: учебное пособие/
by: Ильин, В. И. Владимир Иванович, et al.
Published: (2000)

Noise studies of magnetization dynamics in dilute magnetic semiconductor heterostructures

Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001)
by: Разжувалов, Александр Николаевич