Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Повышение эффективности светод...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/

Bibliographic Details
Main Author: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович (Author)
Corporate Author: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники(Томск)
Other Authors: Давыдов, В. Н. Валерий Николаевич
Format: Book
Published: Томск 2023
Subjects:
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ
ДИССЕРТАЦИИ
ЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
ОПТИЧЕСКИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
Online Access:Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

  • Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
    by: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
    Published: (2023)
  • Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке
  • Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
    by: Давыдов, Валерий Николаевич
  • Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
    by: Караваев, Геннадий Федорович
  • Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...