Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/

Похожие документы

• Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
  по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
  Публикация: (2023)
• Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке
• Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
  по: Давыдов, Валерий Николаевич
• Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
  по: Караваев, Геннадий Федорович
• Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами