Отображение 1 - 20 результаты of 63 для поиска '"адмиттанс"', время запроса: 0.05сек. Отмена результатов
  1. 1
    Исследование светодиодов из AlGaInP методикой спектроскопии адмиттанса
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  2. 2
    Admittance spectroscopy of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots
    Опубликовано в: Journal of Physics: Conference Series
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  3. 3
    Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  4. 4
    Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator
    Опубликовано в: Physica status solidi C
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  5. 5
    Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode
    по Voytsekhovskiy, Alexander V.
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  6. 6
    Admittance investigation of MIS structures with GgTe-based single quantum wells
    Опубликовано в: Nanoscale research letters
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  7. 7
    Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  8. 8
    Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3-5 μm spectral range
    Опубликовано в: Technical physics letters
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  9. 9
    Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  10. 10
    Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices
    Опубликовано в: Journal of Physics: Conference Series
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  11. 11
    Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  12. 12
    Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  13. 13
    Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1-xCdxTe in wide temperature range
    по Voytsekhovskiy, Alexander V.
    Опубликовано в: Opto-electronics review
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  14. 14
    Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 -xCdxTe (x = 0.21-0.23) in a wide temperature range
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  15. 15
    Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  16. 16
    The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films
    Опубликовано в: Technical physics letters
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  17. 17
    Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  18. 18
    Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  19. 19
    Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  20. 20
    Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
Инструменты поиска: RSS-поток