Отображение 1 - 13 результаты of 13 для поиска '"HgCdTe"', время запроса: 0.05сек. Отмена результатов
  1. 1
    Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
    Предметы: “...гетероэпитаксиальные пленки HgCdTe...”
    Книга
  2. 2
    Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
    Предметы: “...фотоэлектрические характеристики HgCdTe...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  3. 3
    Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe
    Предметы: “...гетероэпитаксиальные структуры на основе HgCdTe...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  4. 4
    Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe
    Опубликовано в: Прикладная физика
    Предметы: “...HgCdTe пленки...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  5. 5
    Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm
    Предметы: “...HgCdTe...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  6. 6
    Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy
    Опубликовано в: Applied nanoscience
    Предметы: “...HgCdTe пленки...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  7. 7
    Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis
    Опубликовано в: Infrared physics and technology
    Предметы: “...HgCdTe пленки...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  8. 8
    Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
    Предметы: “...HgCdTe...”
    Полный текст
    Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР
    Книга
  9. 9
    Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса
    Опубликовано в: Прикладная физика
    Предметы: “...HgCdTe...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  10. 10
    Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения
    Опубликовано в: Прикладная физика
    Предметы: “...HgCdTe...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  11. 11
    Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
    по Voytsekhovskiy, Alexander V.
    Опубликовано в: Thin solid films
    Предметы: “...фотоэлектрические характеристики HgCdTe...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  12. 12
    Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe
    Опубликовано в: Прикладная физика
    Предметы: “...HgCdTe...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  13. 13
    Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...HgCdTe...”
    Полный текст
    Статья в журнале
Инструменты поиска: RSS-поток