Showing 1 - 20 results of 171 for search '"КВАНТОВЫЕ ЯМЫ"', query time: 0.07s Refine Results
  1. 1
    Quantum-well states with image state character for Pb overlayers on Cu(III)
    Published in Physical Review B
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  2. 2
    Расчет профилей состава квантовых структур (HgTe-Hg1-xCdxTe)n в процессе их роста методом in situ эллипсометрии
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  3. 3
    Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  4. 4
    Theoretical model for description of single CdHgTe quantum well photoluminescense spectra
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  5. 5
    Последовательно-параллельная эквивалентная схема гетероструктуры с квантовыми ямами
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  6. 6
    Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  7. 7
    Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  8. 8
    Admittance investigation of MIS structures with GgTe-based single quantum wells
    Subjects: “...одиночные квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  9. 9
    Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  10. 10
    Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  11. 11
    Исследование полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур для беспроводной передачи энергии
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  12. 12
    Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками - элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  13. 13
    Dynamics of vacancy formation and distribution in semiconductor heterostructures: Effect of thermally generated intrinsic electrons
    Published in Nanomaterials
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  14. 14
    Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами
    Subjects: “...множественные квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  15. 15
    Фотоприемный модуль 320x256 на основе многослойных структур с квантовыми ямами
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  16. 16
    Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области
    Subjects: “...одиночные квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  17. 17
    Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
    Subjects: “...множественные квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  18. 18
    Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  19. 19
    Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  20. 20
    Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
    Subjects: “...квантовые ямы...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
Search Tools: Get RSS Feed