Отображение 21 - 40 результаты of 63 для поиска '"адмиттанс"', время запроса: 0.06сек. Отмена результатов
  1. 21
    Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  2. 22
    Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer
    по Voytsekhovskiy, Alexander V.
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  3. 23
    Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  4. 24
    Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  5. 25
    Admittance dependences of the mid-wave infrared barrier structure based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
    Опубликовано в: Materials research express
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  6. 26
    Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  7. 27
    Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  8. 28
    Experimental study of NBνN barrier structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR photodetectors
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  9. 29
    Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  10. 30
    Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях
    Опубликовано в: Прикладная физика
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  11. 31
    Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  12. 32
    Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  13. 33
    Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  14. 34
    Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  15. 35
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  16. 36
    Investigation of the effect of thermal annealing on the electrical properties of the near-surface layer of MBE n-HgCdTe using MIS techniques
    Опубликовано в: Journal of electronic materials
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  17. 37
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22-0,23)
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  18. 38
    Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
    Опубликовано в: Russian physics journal
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в журнале
  19. 39
    Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
  20. 40
    Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe
    Предметы: “...адмиттанс...”
    Полный текст
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Статья в сборнике
Инструменты поиска: RSS-поток