Showing 41 - 60 results of 63 for search '"адмиттанс"', query time: 0.05s Refine Results
  1. 41
    Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  2. 42
    Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  3. 43
    Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  4. 44
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  5. 45
    Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  6. 46
    Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  7. 47
    Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  8. 48
    Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  9. 49
    Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells
    Published in Applied nanoscience
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  10. 50
    Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  11. 51
    Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal-insulator-semiconductor techniques
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  12. 52
    Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Book Chapter
  13. 53
    Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  14. 54
    Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  15. 55
    Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  16. 56
    Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe
    Published in Applied nanoscience
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  17. 57
    Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  18. 58
    Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  19. 59
    Admittance of organic LED structures with an emission YAK-203 layer
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
  20. 60
    Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3
    Subjects: “...адмиттанс...”
    Get full text
    Перейти в каталог НБ ТГУ
    Article
Search Tools: Get RSS Feed