Альтернативы поиска:
"варизонные слои" » "варизонные слов" (Расширить поиск)
Отображение 1 - 20 результаты of 37 для поиска '"варизонные слои"', время запроса: 0.07сек. Отмена результатов
  1. 1
    Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range
    по Voytsekhovskiy, Alexander V.
    Опубликовано в: Opto-electronics review
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  2. 2
    Влияние профиля варизонных приграничных облаcтей гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  3. 3
    Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  4. 4
    МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  5. 5
    Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  6. 6
    Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  7. 7
    Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур
    Опубликовано в: Успехи прикладной физики
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  8. 8
    Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  9. 9
    Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  10. 10
    Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  11. 11
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  12. 12
    Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  13. 13
    Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  14. 14
    Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
  15. 15
    Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe
    Опубликовано в: Прикладная физика
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  16. 16
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  17. 17
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  18. 18
    Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  19. 19
    Capacitance–voltage characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators
    по Voytsekhovskiy, Alexander V.
    Опубликовано в: Thin solid films
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в журнале
  20. 20
    Влияние дополнительного слоя CdTe на характеристики МДП КРТ с варизонными слоями
    Предметы: “...варизонные слои...”
    Полный текст
    Статья в сборнике
Инструменты поиска: RSS-поток