Критика Готской программы

по Маркс, Карл 1818-1883
Публикация 1978

Ноябрьская революция в Германии Сборник статей и материалов

Публикация 1960

Оптические свойства аморфных тонких пленок материалов фазовой памяти Ge-Sb-Te

Опубликовано в: Известия высших учебных заведений. Физика

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия

по Лозовой, Кирилл Александрович
Опубликовано в: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур

по Гнеушев, Анатолий Владимирович
Опубликовано в: Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.)

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si...

по Ишков, Арман Дмитриевич
Опубликовано в: Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.)

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне

по Кукенов, Олжас Игоревич
Опубликовано в: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники...

Опубликовано в: Наноинженерия

Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов...

по Лозовой, Кирилл Александрович
Опубликовано в: Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Опубликовано в: Известия высших учебных заведений. Физика

Сочинения в 2 т.

по Ницше, Фридрих
Публикация 1997

Электронные свойства дислокаций в полупроводниках: монография/

по Осипьян, Ю. А., Бредихин, С. И., Кведер, В. В., Классен, Н. В., Негрий, В. Д., Петренко, В. Ф., Смирнова, И. С., Шевченко, С. А., Шмурак, С. З., Штейнман, Э. А.
Публикация 2000

Горькую чашу - до дна! [Перевод]

по Зиммель, Йоханнес Марио
Публикация 2003

Программа социализма и историческая задача СЕПГ ; Программа Социалистической единой партии Германии...

по Ульбрихт, Вальтер 1893-1973
Публикация 1963

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces

по Lozovoy, Kirill A.
Опубликовано в: Nanotechnology

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems

по Lozovoy, Kirill A.
Опубликовано в: Surface science

"Альтернатива для Германии" как ответ на миграционный кризис в Германии

по Коростелева, Ирина Николаевна
Опубликовано в: Вестник Томского государственного университета. История

Позитивная транснациональная идентичность "русских" немцев в Германии: случай семьи

по Грошева, Галина Васильевна
Опубликовано в: XIII Конгресс антропологов и этнологов России : сборник материалов, 2-6 июля, Казань, 2019

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges

по Kokhanenko, Andrey P.
Опубликовано в: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2

Моделирование кремниевого p–i–n-фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sentaurus»...

Опубликовано в: Известия высших учебных заведений. Физика